WPM2019-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-523-3_MOSFETs

WPM2019-3/TR 型号参数

WPM2019-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子榨汁机、音频功率放大器、智能家居控制器、智能音箱、电子血压手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：WPM2019-3/TR
品牌：韦尔(WILLSEMI)
分类：MOSFETs
参数：功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道

MOSFETs可应用场景，如饮水机、智能音箱、专用集成电路（ASIC）、扬声器、不间断电源（UPS）、逻辑分析仪、复印机、电子温度计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L

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