WNM2020-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

WNM2020-3/TR 型号参数

WNM2020-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计袖带、饮水机、万用表、频谱分析仪、电子烤箱温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：WNM2020-3/TR
品牌：韦尔(WILLSEMI)
分类：MOSFETs
参数：功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道

MOSFETs可应用场景，如电子翻译器、音频功率放大器、遥控器、电路板、热水器、光纤连接器、交换机、扬声器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM3401-3/TR	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET

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