WNM4006-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WNM4006-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM4006-3/TR 型号参数

WNM4006-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子阅读器、电动工具、变压器、功放器、电源供应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、汽车电子控制系统、信号发生器、复印机、电子书阅读器、电子烤箱温度计、触摸屏、稳压电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM4002-3/TR	MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET

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