WPM3005-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT23-3_MOSFETs

Name: WPM3005-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT23-3_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WPM3005-3/TR 型号参数

WPM3005-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、智能安防摄像头、音响设备、汽车电子控制系统、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制器、笔记本电脑、数码相机、电子厨房计时器、 X光机、虚拟现实头盔、烟雾报警器、 DVD播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WNM4002-3/TR	MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET

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