WPT2N32-6_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN2X2-6L_MOSFETs

Name: WPT2N32-6_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN2X2-6L_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WPT2N32-6/TR 型号参数

WPT2N32-6/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如复印机、电动车、手机充电器、电动自行车控制器、汽车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫地机器人、音响系统、声卡、电子血压手环、微波炉、示波器、电子阅读器、触摸屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA

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