WPT2N32-6_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN2X2-6L_MOSFETs

Name: WPT2N32-6_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN2X2-6L_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WPT2N32-6/TR 型号参数

WPT2N32-6/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 GPS定位器、心电图仪、空调、电路板、智能手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、电饭煲、电子净水器、视频线材、计算机、电路板、 3D打印机、示波器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WPM3401-3/TR	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW

型号相关

热门型号