WPM3401-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WPM3401-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WPM3401-3/TR 型号参数

WPM3401-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防摄像头、网卡、电视机、电子罗盘、 RFID读写器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电源供应器、电子搅拌器、内存条、交换机、电子温度计、扫描仪、手机、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET

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