WNM4002-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-523-3_MOSFETs

Name: WNM4002-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-523-3_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM4002-3/TR 型号参数

WNM4002-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子签到系统、直流电源、实验室离心机、 3D打印机、机械硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子驱蚊器、 OLED显示屏、微处理器、平板电脑、耳机、门禁系统、电动自行车控制器、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR

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