WNM3008-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WNM3008-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM3008-3/TR 型号参数

WNM3008-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如遥控器、电子榨汁机、 LED照明灯、 B超机、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MRI扫描仪、吉他效果器、 RFID读写器、智能手机、机器人、电子气压计、电子脱毛器、音响系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM3401-3/TR	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323

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