WNM3008-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WNM3008-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM3008-3/TR 型号参数

WNM3008-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 OLED显示屏、 3D打印机、烤箱、无线网卡、遥控器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LCD显示屏、汽车、 GPS定位器、气体报警器、 MP3播放器、电子体温计探头、电子白板、射频连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W

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