WNM2046C-3_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN1006-3L_MOSFETs

Name: WNM2046C-3_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN1006-3L_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM2046C-3/TR 型号参数

WNM2046C-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、电子除螨仪、蓝牙音箱、电子白板、电源供应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如触摸屏、扫描仪、汽车电子控制系统、电磁炉、电路板、 DVD播放器、数字信号处理器（DSP）、智能手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3

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