WNM6002-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs

Name: WNM6002-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM6002-3/TR 型号参数

WNM6002-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像头、智能插座、电子手表、电子美容仪、摩托车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如投影仪、路由器、电子美容仪、电磁炉、专用集成电路（ASIC）、液晶显示器、烤箱、汽车电子控制系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323

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