NCE4060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE4060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE4060K 型号参数

NCE4060K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、无人机、电子白板、门禁系统、显卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、电视机、变压器、电子罗盘、电子体重秤、电子榨汁机、饮水机、手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE01P13K	MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A

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