NCE40P70K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE40P70K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE40P70K 型号参数

NCE40P70K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、音频功率放大器、电子美容仪、内存条、显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电源供应器、电子书阅读器、音响系统、变压器、集成电路板、电动车充电器、录像机、微处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W

型号相关

热门型号