NCE40P70K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE40P70K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE40P70K 型号参数

NCE40P70K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摩托车、路由器、显卡、电动自行车控制器、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如无人机、电子脱毛器、游戏机、电子琴、专用集成电路（ASIC）、手机、电视机、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W

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