NCE40P70K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE40P70K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE40P70K 型号参数

NCE40P70K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、电子按摩器、笔记本电脑、手机充电器、电子手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车控制器、 GPS定位器、电子加湿器、游戏机、烤箱、网卡、液晶显示器、安防摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W

型号相关

热门型号